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合肥晶合取得一种半导体器件布局结构专利，在不增加装置类型的情况下提高速度

2025-02-06
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金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体器件布局结构”的专利，授权公告号CN221885109U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体器件布局结构，包括需修改特性的第一区域和无需修改特性的第二区域，第一区域中设置第一单元布局结构，第二区域中设置第二单元布局结构，第一单元布局结构和第二单元布局结构均设置有多晶硅栅极，相邻第一单元布局结构之间边界上设置第一虚拟多晶硅栅极，相邻第二单元布局结构之间、第一单元布局结构和第二单元布局结构之间的边界上均设置第二虚拟多晶硅栅极，第一虚拟多晶硅栅极的宽度大于第二虚拟多晶硅栅极的宽度，通过增加第一区域中的第一虚拟多晶硅栅极的宽度，缩短多晶硅栅极和相邻的第一虚拟多晶硅栅极之间的间距，以降低第一单元布局结构中MOS晶体管的阈值电压Vth，从而在不增加装置类型的情况下提高速度。

本文源自金融界

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