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合肥晶合集成电路申请一种半导体器件制作方法专利，提高半导体器件的电学性能

2025-02-06
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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN118841373A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成至少两层氧化层和氮化层的叠层；刻蚀叠层以及部分衬底，形成浅沟槽和有源区；回刻叠层，扩大浅沟槽的开口；在浅沟槽内沉积隔离介质，隔离介质的表面与叠层的表面齐平；依次刻蚀去除氮化层和氧化层，去除氧化层时，同步去除浅沟槽和有源区界面处的部分隔离介质；对衬底进行离子注入，形成阱区和沟道掺杂区，沟道掺杂区位于阱区上，且有源区边缘和中心的离子注入量相等；在沟道掺杂区上形成栅极结构通过本发明提供的半导体器件的制作方法能够避免窄沟道器件因无法进行正常沟道掺杂而使阈值电压非正常降低，提高半导体器件的电学性能。

本文源自金融界

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